P-mos损坏原因?
发布时间:2023-12-16 20:29 作者:admin 来源:未知 点击: 标签: 大 或 原因 持续 损坏 电流 过流 P-MOS ----------
过流----------持续大电流或瞬间超大电流引起的结温过高而烧毁;
过压----------源漏过压击穿、源栅极过压击穿;
静电----------静电击穿。CMOS电路都怕静电
Mos开关原理。Mos是电压驱动型器件,只要栅极和源级间给一个适当电压,源级和漏级间通路就形成。这个电流通路的电阻被成为mos内阻,就是导通电阻。这个内阻大小基本决定了mos芯片能承受的最大导通电流(当然和其它因素有关,最有关的是热阻)。内阻越小承受电流越大(因为发热小)。