据报道称:上海微电子将在2021年交付采用ARF光源制程工艺为28纳米的光刻机，并且次光刻机在经过多次曝光之后，可以制造出11纳米制程的芯片。目前来看，这个消息应该是真的。

　　也就是说，国内在2021年，就有自己制造的生产28纳米制程芯片的光刻机了。虽说，还不能与阿斯麦公司的极紫外EUV光刻机相比，但是足以推进我国工业芯片和军用芯片的性能向前迈一大步了。

　　按光源来分的话，光刻机已经发展了五代。

　　第一代是采用波长为436纳米的g-line光源的光刻机，其制程工艺节点为800纳米-250纳米；

　　第二代采用波长为365纳米的i-line光源的光刻机，其制程工艺节点也是800纳米-250纳米；

　　第三代采用波长为248纳米的KRF光源的光刻机，其制程工艺节点为180纳米-130纳米；

　　第四代也就是波长为139纳米的Arf光源的光刻机，其制程工艺节点为130纳米-65纳米，45纳米-22纳米；

　　第五代也就是波长为13.5纳米的EUV光源的极紫外光刻机，其制程节点为22纳米-7纳米。

　　而上海微电子将在2021年交付的也就是第四代光刻机，制程工艺节点为28纳米。

　　其实上海微电子与2007年制造了制程工艺节点为90纳米的光刻机，迄今过去了13年。经过14年的发展，再次拿出第四代光刻机也是很正常的。

　　虽说，我国现在无法制造出二氧化碳EUV光源，但是在固体深紫外光源的研发上是处于国际领先地位的，最明显的例子就是KBBF晶体

　　另外光刻机比较重要的镜头，国内也是可以自制的。长春光机所于2022年研发出了波像差优于0.75 nm RMS 的两镜EUV 光刻物镜系统。

　　清华大学也在2022年研发出掩模台/硅片台同步扫描指标实测达到2.2nm，4.7nm。所以说，光刻机最重要掩膜台和工作台，镜头组，光源都可以由国内单位自己制造出来。

　　那么上海微电子研制出制程工艺为28纳米的光刻机也没有什么可怀疑的。只是在明年交付之后，芯片的良品率并不会一下子就上去，还要过段时间才可以提升上去。

　　14纳米的芯片，和28纳米的芯片。