场效应管和晶闸管都是电子电路中常用的开关型器件，但是两者存在本质的区别。场效应管包括结型场效应管JFET和金属-氧化物半导体场效应管MOSFET。而晶闸管一般是指可控硅，可控硅按照导通方向可以分为单向可控硅SCR和双向可控硅Triac。

　　这里主要介绍MOSFET。MOSFET有三个电极，分别为栅极G、源极S和漏极D，其中栅极G为控制端，源极S和漏极D为输出端。从半导体的构成方面可以分为NMOS和PMOS。这两种MOS的电路符号如下图所示：

　　PMOS的衬底为N型半导体，在VGS<0时，会形成P沟道，所以叫做P沟道MOS；而NMOS的衬底为P型半导体，在VGS>0时，会形成N沟道，所以叫做N沟道MOS。PMOS和NMOS的半导体结构如下图所示。

　　MOS管是电压驱动型的器件，主要用作可控整流、功率开关、信号放大等，应用比较广泛。MOS管的通道依靠VGS的电平，对于NMOS而言，VGS >0时，NMOS导通，否则NMOS截止；对于PMOS而言，VGS<0，PMOS导通，否则截止。

　　晶闸管是可控硅，按照导通方向可以分为单向SCR和双向Triac，以单向可控硅为例，介绍其半导体结构，如下图所示。

　　SCR由四层半导体构成，具有三个PN结，如果斜着劈开的话，可以看作是PNP三极管和NPN三极管构成的。可控硅的控制方式比较特殊。

　　对于单向可控硅而言，在触发极加正向触发电压的同时，在阳极和阴极之间加正向电压，则可控硅导通。导通后，把控制信号移除，可控硅仍然处于导通状态。要使可控硅关断有如下两个方法：

　　1.移除触发信号，同时减小阳极电流使其小于维持电流；

　　2.移除触发信号，同时将阳极的电源切断。

　　双向可控硅具有四个工作象限，可以参考下图。

　　MOS管的区别主要体现在作用和区别上。

　　两者都可以作为功率开关来使用，但是MOS管还具有信号放大作用，而可控硅不具有信号放大作用。MOS管作为开关时开关速度要高于可控硅。

　　从控制方式上，MOS的VGS只要满足条件就可以导通，移除控制信号后，MOS管就可以关断。可控硅在导通时，除了控制信号以外，还需要阳极和阴极之间有正向电压。并且控制信号移除后，还需要将阳极的电压切除或者使电流小于维持电流后才可以关断。

　　可控硅的控制方式比MOS管要麻烦。

　　可控硅电路符号如下图所示。

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　　晶闸管又称可控硅，其与场效应管一样，皆为半导体器件，它们的外形封装也基本一样，但它们在电路中的用途却不一样。

　　晶闸管可分为单向晶闸管和双向晶闸管两种。它们在电子电路中可以作为电子开关使用，用来控制负载的通断；可以用来调节交流电压，从而实现调光、调速、调温。另外，单向晶闸管还可以用于整流。

　　晶闸管在日常中用的很广，像家里用的声控灯，一般采用BT169、MCR100-6这类小功率单向晶闸管作为电子开关驱动灯泡工作。在白炽灯泡无级调光或电风扇无级调速电路中，常用BT136这类大功率的双向晶闸管来实现调光或调速。

　　场效应管属于单极型半导体器件，其可以分为结型场效应管和MOS场效应管两种，每种类型的场效应管又有P沟道和N沟道之分。场效应管在电子电路中既可以作为放大器件用来放大信号，又可以作为开关器件用来控制负载的通断，故场效应管的用途比晶闸管更广一些。

　　在功放电路中，采用VMOS场效应管作为功率放大元件，可以提高音质；在开关电路中，驱动电机等大电流负载时，选用MOS场效应管作为电子开关，可以减轻前级驱动电路的负担（若选用晶闸管的话，需要从前级电路汲取较大的驱动电流）。

　　综上，场效应管和晶闸管的区别就是：场效应管既可以放大信号，亦可以作为高速电子开关控制负载的通断，同时还可以实现调速、调光、调温等功能，而晶闸管不能用来构成放大器放大信号，用作电子开关时，工作频率也不及场效应管高，只能用于低速控制。

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　　场效应管和晶闸管都是常见的功率负载驱动器件

　　虽然场效应管和晶闸管都是由P型和N型半导体构成，样子也长得非常像，但它们的功能是完全不同的。场效应管是电压驱动型器件，常用于驱动工作电压不高的直流负载；晶闸管也叫可控硅，是电流触发型器件，常用于驱动电压较高、功率较大的负载。

　　场效应管根据内部结构排列不同，分为N沟道和P沟道两种。N沟道场效应管的衬底是P型半导体，P沟道的场效应管的衬底是N型半导体。

　　当在场效应管的栅极(G)施加电压时，栅极(G)和硅衬底之间的SiO2绝缘层中就会产生一个栅极(G)指向硅衬底的电场。氧化物层两边形成一个电容，门极电压等于对电容充电，受电压吸引，电容另一边聚集大量电子，形成导电沟道，MOS管开始导通，电流可以从漏极(D)流向源极(S)，也可以从源极(S)流向漏极(D)。

　　场效应管的导通内阻很小，往往可以用来驱动工作电流很大的负载，电工动具、开关电源、DC-DC升压电路都会应用到场效应管。使用场效应管需要注意它的门极开启电压（Vgs），栅极(G)施加的电压需要满足它的要求才可以让场效应管稳定、可靠的导通。

　　晶闸管又叫可控硅，分单向晶闸管（可控硅）和双向单向晶闸管（可控硅），可用应用于大功率负载的驱动。比如发热管、交流电机等。

　　单向晶闸管（可控硅）：只能单向导通，在G极施加一个触发电流后，它就会导通，电流从A极流向K极。导通后，停止提供触发电流，晶闸管还会维持导通。直至关断负载电压或者负载电压反向。

　　双向晶闸管（可控硅）：可以双向导通，在G极施加一个触发电流后，电流可以从T1极流向T2极，也可以从T2极流向T1极。双向可控硅往往应用于交流负载器件的驱动。驱动双向可控硅，需要在交流电每个过零点后都施加触发电流。

　　朋友们好，我是电子及工控技术，我来回答这个问题。关于这两个电子器件在很多电路中都会遇到，比如场效应管可以作为电磁炉中的开关振荡管、电瓶车充电器电路中作为开关管使用，场效应管尤其在电脑主板中用的比较多；对于晶闸管我们俗称可控硅，这个器件我第一次接触是在学习晶闸管变流技术中使用过，随着后面的学习我发现晶闸管用的也非常多，比如在一些调速风扇的电路中就能够见到可控硅、在智能调光电路中也是用的可控硅和在洗衣机电路中都可以用到可控硅，下面我们来谈谈这两个器件有何区别吧。

　　1、场效应管

　　随着电子技术不断进步，场效应管的种类有好几种，我们最常见的有结型场效应管（FET管）和金属氧化物半导体场效应管（MOSFET管）这两类。这两类场效应管都有一个共同的特点，它们都是利用半导体内的电场效应来控制场效应管电流大小的，下面我用金属氧化物半导体场效应管，也就是我们俗称的MOS管来说明这个问题。比如下图的N沟道场效应管，当栅极与源极间的Ugs电压大于一定值时，并且Uds大于零，这时Rds的等效电阻非常小，就可以有较大的电流由漏极流向源极，它们之间就好像用一根导线连起来一样。

　　当栅极G与源极S间的Ugs电压小到一定值的时候，或者Ugs电压等于零的时候，那么漏极D和源极S之间的等效电阻就非常大，就像断开的导线一样无论如何是没有电流通过的。由此可见场效应管是通过在栅极和源极之间建立了一定的电压后才控制了漏极与源极之间的接通的。

　　2、晶闸管

　　下面我们再说一说这个晶闸管，它是一个功率半导体器件，是在二极管的基础上发展起来的，可用于整流半导体器件。下面我们说说如何控制它的通断，要使晶闸管导通要满足两个条件，第一个是要给晶闸管的控制极G加一个触发信号，也就是在门极G和晶闸管的阴极K之间加一个足够大的正向电流与电压，同时呢晶闸管的阳极要高于阴极，这样阳极A与阴极K之间的等效电阻就非常小了，就像用导线连接起来一样。

　　当要关断晶闸管时，只要我们把阳极A与阴极K之间的电流减小到一定值的时候，这个晶闸管的阳极A与阴极K之间就像断开一样，无法有电流通过。或者我们把晶闸管的阳极A的电压低于阴极K的电压也可以关断这个晶闸管。

　　通过上面的分析我们可以知道，场效应管与晶闸管的控制方式是不同的，场效应管是电压控制其通断的半导体器件，我们称它是压控型器件；晶闸管的控制方式是由一定的电流值来触发晶闸管的导通，我们俗称它是流控型器件而且它是一个半控型半导体器件，也就是说晶闸管的门控极G只能控制晶闸管的导通而不能控制晶闸管的关断。

　　场效应管的直流等效输入电阻非常高，其阻值可以达到10九次方欧姆，对于MOSFET管来说最高可以达到10十五次方欧姆，鉴于这样的特点来说由场效应管组成的电路功耗都比较小、它的稳定性和抗干扰能力都很强，所以现在很多集成芯片中都采用的是场效应管组成的集成电路，有的工作电压可以低到2V以下。

　　而对与晶闸管组成的电路来说在输入直流等效电阻方面它比较低、这样就决定了它的功耗非常大，抗干扰能力远不如场效应管，这也就说明了晶闸管组成的电路它的稳定性也不如场效应管。

　　我们从它们的组成结构可以看出，对于场效应管来说它可以放大信号，因此可以用在放大电路中作为放大器来用，也可以作为高速电子开关控制负载的通断，比如开关电源中的场效应管就起到这个功能，同时运用场效应管还可以实现调速控制，比如PWN波的调制输出、令外在调光电路、调温电路等都可以用到。

　　从晶闸管的工作过程来看它不能用来放大电路的信号，因此它是不可以作为器放大器来使用的。一般晶闸管用在整流电路和控制大负载电路中。当它作为电子开关使用时，其工作频率也没有场效应管高，一般只能用在低速控制的场合。

　　从场效应管的结构可以看出它的结构相对来说比较简单，尤其在制造工艺上要比晶闸管简单许多，再加上其功耗小，噪声低同时热稳定性也很好，抗辐射能力也强。对于集众多优点于一身的它在大规模和超大规模的集成电路中都会被用到，对于晶闸管来说就无法做到这一点。

　　场效应管在平时储存保管的时候对静电要求非常高，由于MOS管的输入阻抗非常高，在MOS管不使用的时候一定要将栅极G、源极S和漏极D这三个电极短接在一起，这样可以防止场效应管因静电场的电压较高使场效应管损坏。所以场效应管的弱点是对静电的要求比较严格。因此我们在焊接场效应管时所使用的电烙铁要有外接地线，这样可以屏蔽掉交流电场，防止场效应管遭到损坏，当我焊接场效应管时，特别是MOSFET管时，我都是先把烙铁的电源断掉，然后用烙铁的余热去焊接场效应管。而对于晶闸管来说，它的“软肋”是过电流的能力比较差，在组成电路时要设计很多的保护环节，使用相对比较麻烦。

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