2024-01-31
IGBT击穿一般是过压或者过流,还有就是过温了,门极电压超过规定的范围会导致G-E击穿,C-E间的电压超过Vces也会击穿,而且过压是很容易将IGBT击穿的,比...
2024-01-16
答:ic击穿与过热击穿是一回事。过流击穿就是电流在通过可控硅芯片时在 芯片内部产生热效应,使芯片温度升高,当芯片温度达到 175℃时芯片就会失效且...
2023-12-17
1、电压击穿 可控硅因不能承受电压而损坏,其芯片中有一个光洁的小孔,有时需用扩大镜才能看见。其原因可能是管子本身耐压下降或被电路断开时产生...
2023-12-04
485通讯接口击穿芯片会烧坏,更换485芯片就可以...
2023-11-09
答: 电容击穿损坏的原因及解决方法: ①工作电压超过了电容的耐压; ②电容质量不好,漏电流大,温度逐渐升高,绝缘强度下降; ③电容接反或者接到了...
2023-11-06
集电极与发射极之间的电压高于最高工作就会击穿。通常由IGBT从闭合(close)到打开(open)过程中电流突然下降造成的尖峰电压(voltage spike)所导致,因为在IGBT以...
2023-10-26
单相电机过载导致线圈烧,主要是烧主绕组。 有离心开关的单相电动机,转速接近额定转速时,离心开关就跳开了副绕组,副绕组没有参加运行,就不存在...
2023-10-11
原因有:静电击穿、电源超压、过流输出、过热烧毁等。 第一类针对CMOS而言;第二种则所有IC都会;第三种在功率IC上,如功放、稳压等;第四种指的是因为环境...